- Growth and properties of the GaN cap layer strongly influenced by the composition of the underlying AlGaN
Opis
- Tytuł: Growth and properties of the GaN cap layer strongly influenced by the composition of the underlying AlGaN
- Tytuł czasopisma: Materials Science in Semiconductor Processing
- Twórca: Moszak, K ; Pucicki, D ; Grodzicki, Miłosz ; Olszewski, Wojciech Tomasz ; Majchrzak, D ; Serafinczuk, J ; Gorantla, S ; Hommel, Detlef
- Strony: s. 1-7
- Opis: Przy nazwisku Grodzicki, Olszewski, Hommel podwójna afiliacja : Łukasiewicz Research Network - PORT Polish Center for Technology Development, Wrocław, Poland oraz Institute of Experimental Physics, University of Wrocław, Wrocław, Poland.
- Data wydania: 2021
- Typ: Tekst
- Identyfikator: ISSN 1369-8001 ; https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106125
- Język publikacji: eng
- Wersja Cyfrowa: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106125
- Licencja: CC BY
- Szczegółowy typ obiektu: art
- Typ obiektu: Artykuł
- Tom/Wolumen/Zeszyt: Vol. 136 (2021), nr art. 106125
